Samsung fabrica módulos de memoria de 32 GB DDR3

Samsung ha reducido tanto en sus chips de memoria DRAM y aumentado la capacidad de.

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Samsung ha reducido tanto en sus chips de memoria DRAM y aumentado la capacidad de sus módulos, que la compañía ha comenzado la producción masiva de chips de 30nm de 4 Gb.

El paso a un proceso de 30nm trae consigo tres beneficios claves. El primero es un corte en la cantidad de energía necesaria para hacerlos funcionar, en comparación con la misma memoria en procesos más amplios, el segundo es un aumento en el rendimiento en chips de 40nm, Samsung dice que se traduce en un aumento de 40% en general. Además, significa que Samsung puede comenzar a producir más módulos de memoria.

El resultado final es la producción de algunos chips de memoria DDR3 muy eficientes y rápidos, así como la introducción del módulo de 32 GB. En términos de rendimiento, 30nm de 32 GB DDR3 funciona a 1.35 voltios y puede alcanzar 1866 Mbps. Lo mismo que la de 40nm de 32 GB requiere 1.5 voltios y sólo alcanza 1333 Mbps. Por lo tanto la ganancia de rendimiento y ahorro de energía es evidente a la vista.

El lanzamiento de los chips de memoria de 20nm de 4 Gb está previsto antes de finales de 2011.

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Fuente: Geek

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Autor: Jimmy Cueva - Fecha: 31/05/2011

Noticia sobre: Noticias

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